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单晶硅断棱检测方法、装置及电子设备

发明专利未知
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12权利要求 · 3 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

王宇

申请日

Jul 2, 2026

公开日

Oct 20, 2026

IPC 分类

G06T 7/00 (2017.01)

本申请提供一种单晶硅断棱检测方法、装置及电子设备。本申请基于单晶硅放肩前期的待测图像,确定出待测图像中包括的候选图像区域,候选图像区域中包括单晶硅晶棒中的待检测对象;基于候选图像区域的表面形态类型,从候选图像区域中筛选出未出现断棱的目标图像区域,避免了对图像进行全局、复杂的无差别分析,显著降低了计算复杂度,大幅提升了处理效率;进一步基于目标图像区域的数量,确定单晶硅的晶棒在放肩前期的断棱情况。将实时的放肩图像作为待测图像,通过筛选待测图像中未出现断棱的区域实现对断棱现象的自动检测,以便于及时发现单晶硅制备过程中的断棱情况。