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基于二维晶体管1T-1Flash驱动电路阵列结构及其驱动控制方法

发明专利未知
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10权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

刘利伟; 周鹏; 刘春; 胡怡欣

申请日

Jun 24, 2026

公开日

Oct 20, 2026

IPC 分类

G09G 3/32 (2016.01)H10B 43/30 (2023.01)H10D 62/80 (2025.01)

本发明提供了一种基于二维晶体管1T‑1Flash驱动电路阵列结构及其驱动控制方法,驱动电路阵列结构包括基底层及阵列排布的像素单元,每个像素单元包括垂直层叠的二维开关晶体管和二维非易失性存储器件;层叠结构自下而上依次为第一栅极层、电荷阻挡层、电荷俘获层、第二栅极层、电荷隧穿层及二维半导体沟道层;每行设有第一和第二控制信号线,每列设有数据信号线;同行像素单元的第一、第二栅极层分别耦接对应行的第一、第二控制信号线;同列二维半导体沟道层两端分别连接数据信号线和负载器件。本申请实现了像素单元的高密度集成与非易失性驱动保持,LED的驱动频率低至0.001 Hz,降低了系统功耗。

§ Ⅵ

专利附图

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