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半导体存储装置

发明专利未知
40权利要求 · 3 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

日冈健; 小林司; 加藤光司; 清水佑树; 前岛洋

申请日

Dec 27, 2018

公开日

Oct 20, 2026

IPC 分类

G11C 16/04 (2006.01)G11C 16/26 (2006.01)

提供一种能够高速地动作的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备:第1存储单元和第2存储单元;第1字线,连接于所述第1存储单元和所述第2存储单元的栅极;第1位线,连接于所述第1存储单元;第2位线,连接于所述第2存储单元;第1读出放大器,具有连接于所述第1位线的第1感测节点;第2读出放大器,具有连接于所述第2位线的第2感测节点;以及电压生成电路,具有连接于所述第1读出放大器的第1驱动器和连接于所述第2读出放大器的第2驱动器,在读出动作中,所述第1驱动器向所述第1感测节点供给第1电压,所述第2驱动器向所述第2感测节点供给低于所述第1电压的第2电压。

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