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一种高Fe含量永磁体的两级固溶处理方法及制备方法
发明专利未知
10权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
罗小钧; 席龙龙; 徐成; 刘青山; 唐鹏; 袁涛
申请日
Aug 26, 2026
公开日
Oct 20, 2026
IPC 分类
H01F 41/02 (2006.01)H01F 1/055 (2006.01)
本发明公开了一种高Fe含量永磁体的两级固溶处理方法及制备方法,属于钐钴永磁材料技术领域,高Fe含量永磁体的制备方法包括原材料配置、熔炼、破碎制粉、取向压制成型、烧结、固溶处理、时效处理;其中固溶处理采用“高温短时、低温长时”的两级固溶处理工艺,且配合低氧的制备工艺,有效促进了高Fe含量永磁体中胞状组织的完整性,进而大幅度促进了磁体的剩磁、矫顽力等性能,实现了高Fe含量钐钴永磁材料的高磁性能简易可控。
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