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一种倾斜刻蚀调控方法与应用

发明专利未知
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§ Ⅰ

卷宗概要

申请人

哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)

发明人

宋清海; 李英杰; 肖淑敏; 曲歌扬

申请日

Jun 29, 2026

公开日

Oct 20, 2026

IPC 分类

H01J 37/147 (2006.01)H01J 37/32 (2006.01)

本发明涉及一种倾斜刻蚀调控方法与应用,属于微刻蚀技术领域。本发明通过在刻蚀区域附近添加一个金属调制器,改变待刻蚀区域附近的电场分布,从而改变刻蚀离子的移动方向。本发明可通过定制不同的金属调制器类型,实现可控的倾斜刻蚀。