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一种单晶低钴三元材料及其制备方法、二次电池、电池包、用电装置
发明专利未知
39权利要求 · 6 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
倪欢; 别常峰; 尹翔; 欧阳少聪; 董苗苗; 柳娜
申请日
Jan 14, 2022
公开日
Oct 20, 2026
IPC 分类
H01M 4/131 (2010.01)H01M 4/1391 (2010.01)H01M 4/505 (2010.01)H01M 4/525 (2010.01)H01M 10/0525 (2010.01)
本申请涉及一种单晶结构的低钴三元正极材料，低钴三元正极材料包括Ni元素、Co元素、Mn元素和M元素，M元素包括Zr、Sr、B、Ti、Mg、Sn及Al中的一种或多种；M元素的摩尔分数与Ni、Co、Mn和M元素的总摩尔分数之比为（0~0.1）：1；并且在单个颗粒中，在通过颗粒的几何中心的横截面上，外层的每单位面积的平均Co含量与内核的每单位面积的平均Co含量之间的比例在1.2‑5.0:1范围内，可选地在1.4‑2.0:1范围内。本申请还提供所述低钴三元正极材料的制备方法，包含该材料的二次电池、电池模块、电池包和用电装置。
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