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一种21650圆柱锂离子电池

发明专利未知
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10权利要求 · 1 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

高帅; 刘宏威; 钱鹏; 铁云飞

申请日

Jul 31, 2026

公开日

Oct 20, 2026

IPC 分类

H01M 10/0525 (2010.01)H01M 10/0587 (2010.01)H01M 4/131 (2010.01)H01M 4/13 (2010.01)H01M 10/04 (2006.01)

本申请涉及锂离子电池技术领域,尤其是一种21650圆柱锂离子电池。该电池的正极极片和负极极片的膜片电阻R和R分别为0.3~1.5Ω·cm和1×10~8×10Ω·cm;正极极片和负极极片的孔阻抗Z和Z分别为1~8 Ω·cm和2~10 Ω·cm;正极极片和负极极片的孔隙率P和P分别为15~30%和25~40%;所述21650圆柱锂离子电池在25℃条件下、8C倍率放电的容量保持率为C%,C满足C≥75%,且,其中,k的范围为0.5~2.0,k的范围为0.3~1.5。本申请通过构建极片膜片电阻、孔阻抗、孔隙率与电芯倍率性能的定量关联公式,将极片微观电化学参数与电芯宏观倍率性能进行跨层级耦合,实现了极片设计对电芯性能的可预测性优化。