一种III-V族DFB激光器的金属光栅不剥离制备方法

本申请提供了一种III‑V族DFB激光器的金属光栅不剥离制备方法，属于DFB激光器领域；解决了现有工艺再剥离、光刻胶碳化、金属层氧化等方面存在的问题；方法包括：基底表面预处理；在预处理后的基底表面整体沉积氧化硅层；在氧化硅层表面旋涂光刻胶并烘烤；采用电子束曝光工艺定义布拉格光栅图形，并进行显影，完成光栅图形向光刻胶层的转移；第一次刻蚀，将光栅图形转移至氧化硅层；第二次刻蚀，在基底表面形成氧化硅光栅立体形貌；在成型的氧化硅光栅立体结构表面沉积Ti/Cr/Pt复合金属层；将完成复合金属层沉积的器件置于退火设备中进行退火；本申请应用于2μm波段III‑V族DFB激光器。