GaSb基量子阱外延结构及其制备方法

本发明提供了一种GaSb基量子阱外延结构及其制备方法。外延结构包括GaSb衬底；有源区，位于GaSb衬底之上，至少一个阱层，阱层为由InAs层和InGaSb层构成的数字合金结构，且InAs层与InGaSb层的厚度比例沿生长方向渐变，以使阱层具有非矩形能带轮廓；以及第一数字合金波导层和第二数字合金波导层，形成于有源区两侧，均由多个第一周期单元和多个第二周期单元交替堆叠而成，第一周期单元依次包含第一AlSb层、AlAs层和第二AlSb层，第二周期单元为中间AlSb层。本申请通过阱层的非矩形能带轮廓有效进行应变补偿或抑制弛豫，并实现波长的精准调控，同时通过AlSb/AlAs/AlSb数字合金结构增强了对空穴的限制，降低了阈值电流密度，提升了器件性能。