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一种SGT MOSFET开关损耗优化AI调度管理系统

发明专利未知
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10权利要求 · 1 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

李伟; 高苗苗; 段卫宁; 梁为住

申请日

Sep 16, 2026

公开日

Oct 20, 2026

IPC 分类

H02J 3/32 (2026.01)H02M 1/00 (2007.01)H02M 1/32 (2007.01)H02M 1/38 (2007.01)H02J 7/65 (2026.01)H02J 7/90 (2026.01)G06F 18/213 (2023.01)G06F 18/2131 (2023.01)G06F 18/24 (2023.01)

本申请属于调度管理技术领域,本申请公开了一种SGT MOSFET开关损耗优化AI调度管理系统;包括:实时获取多路并联充电模块的运行特征数据和工况跃迁特征,进行开关损耗状态重算得到该实时调度周期的真实模块损耗序列;获取待执行输出请求并进行类型拆分,得到子任务分布需求集;评估SGT MOSFET开关内部的真实热恢复状态并执行伪使用模块拦截,筛选得到可调用模块集合;进行候选调度方案构造并进行开关损耗预测,输出对应候选调度方案的全局损耗评估结果;确定目标调度方案并生成控制指令执行协同管控;提升了多路并联集群场景下开关损耗调度的精度与可解释性。