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一种用于SiC晶体外延生长机台的大功率双端口多模态LCLCL电流型特种电源及控制方法

发明专利未知
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10权利要求 · 3 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

马伏军; 李权接; 李玉锟; 杨淇翔; 童志恒; 张正潇

申请日

Aug 20, 2026

公开日

Oct 20, 2026

IPC 分类

H02M 3/335 (2006.01)H02M 3/00 (2006.01)

本发明涉及一种用于SiC晶体外延生长机台的大功率双端口多模态LCLCL电流型特种电源及控制方法。所述特种电源包括两台直流电流源、第一改进型逆变器、第二改进型逆变器、双端口LCLCL谐振腔及控制器;所述双端口LCLCL谐振腔由端口侧匹配电感、匹配电容以及负载侧感应等效支路构成,两端分别由两台改进型逆变器供电。所述控制器根据SiC晶体外延生长工艺功率指令、谐振频率跟踪结果,在单端半桥、单端全桥、混合全桥、双端全桥以及故障切除模态之间分段切换,并采用脉冲密度调制生成开关序列。本发明能够在SiC晶体外延生长机台的高温热场供能过程中实现宽功率供能、低系统损耗、多模态自适应连续供能,有利于提高SiC外延生长机台特种电源的效率、可靠性和热场稳定性。