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一种压电式声学传感器
发明专利未知
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10权利要求 · 1 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
聂京凯; 田辰; 何强; 韩钰; 刘辉; 胡胜; 尹航; 卢铃; 张世乘; 邱赵旭
申请日
Jun 30, 2026
公开日
Oct 20, 2026
IPC 分类
H04R 17/00 (2006.01)H04R 7/04 (2006.01)
本发明提供一种压电式声学传感器,包括衬底和压电振膜。其中,衬底内设有柱状空腔;压电振膜设置在衬底表面上;压电振膜在衬底表面上的正投影结构为正多边形,柱状空腔在衬底表面上的正投影结构为圆形;或者压电振膜在衬底表面上的正投影结构为圆形,柱状空腔在衬底表面上的正投影结构为正多边形;或者压电振膜和柱状空腔在衬底表面上的正投影结构均为正多边形;压电振膜与柱状空腔同轴设置,且二者的正投影结构在边缘形成交错分布的压角区域以增加压电振膜的应力以提高压电振膜单位面积的有效利用率,进而提升压电式声学传感器的接收灵敏度。
§ Ⅵ
专利附图
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