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三维半导体器件中的连接结构和系统及其制造方法

发明专利未知
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20权利要求 · 3 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

胡丰田; 黄海军; 夏志良

申请日

Apr 14, 2025

公开日

Oct 20, 2026

IPC 分类

H10B 12/00 (2023.01)

提供了用于管理半导体器件中的连接结构的系统、器件和制造方法。在一个方面中,一种半导体器件包括:第一半导体结构;第二半导体结构,所述第二半导体结构沿着第一方向堆叠在所述第一半导体结构之上;以及连接结构,所述连接结构沿着所述第一方向从所述第二半导体结构延伸至所述第一半导体结构中。所述连接结构包括导电油墨层,并且所述导电油墨层包括一种或多种导电材料以及一种或多种有机聚合物材料。