半导体器件及其制造方法

本公开涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括半导体主体、绝缘层和贯穿绝缘层的接触部；沿第一方向，半导体主体位于绝缘层的一侧；绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层，第一绝缘层位于第二绝缘层与半导体主体之间；沿第一方向，接触部具有第一端部和第二端部，接触部的第一端部与半导体主体接触；沿第二方向，接触部的第二端部的宽度小于或等于接触部的第一端部的宽度，其中，第一方向与第二方向交叉，本公开提供的半导体器件能够增大接触部的第一端部与半导体主体之间的接触面积，同时，降低了漏电风险，提高了半导体器件的可靠性。