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具有存储节点接触的半导体器件
发明专利未知
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§ Ⅰ
卷宗概要
IPC 分类
H10B 12/00 (2023.01)H10D 64/27 (2025.01)
一种半导体器件包括:位线,所述位线位于衬底上并且在平行于所述衬底的上表面的第一方向上延伸;半导体图案,所述半导体图案位于所述位线上并且在垂直于所述衬底的所述上表面的方向上延伸;栅电极,所述栅电极位于所述半导体图案的侧表面上并且在与所述第一方向相交的第二方向上延伸;存储节点接触,所述存储节点接触位于所述半导体图案的上表面上;上绝缘层,所述上绝缘层覆盖所述存储节点接触的侧表面;以及覆盖图案,所述覆盖图案位于所述上绝缘层与所述栅电极之间。所述上绝缘层位于所述覆盖图案的上表面上。所述半导体图案的所述上表面和所述覆盖图案的所述上表面均具有凹形轮廓。
§ Ⅵ
专利附图
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