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包括字线结构的半导体器件

发明专利未知
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16权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

吴东妍; 林明洙; 赵镇先

申请日

Dec 25, 2025

公开日

Oct 20, 2026

IPC 分类

H10B 12/00 (2023.01)

本公开涉及包括字线结构的半导体器件。一种半导体器件,包括:位线,其被配置为在第一方向上延伸;字线结构,其被配置为在第二方向上延伸;有源区,其一侧与位线接触并被配置为在第三方向上延伸;以及背栅,其被配置为平行于字线结构延伸。字线结构包括:下字线,其平行于背栅延伸;上字线,其在第三方向上与下字线间隔开;以及垂直连接部,其在第三方向上延伸并与下字线与上字线都接触。

§ Ⅵ

专利附图

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