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半导体器件
发明专利未知
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§ Ⅰ
卷宗概要
IPC 分类
H10B 12/00 (2023.01)
一种半导体器件,包括通过键合层相互键合的第一半导体结构和第二半导体结构。第一半导体结构包括:电容器,其包括板电极;沟道结构,其设置在电容器上;位线,其设置在沟道结构上;第一上布线层,其设置在位线上;第一布线层,其位于第一上布线层与板电极所在的层之间;以及下接触件,其连接板电极和第一布线层。
§ Ⅵ
专利附图
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IPC 分类
一种半导体器件,包括通过键合层相互键合的第一半导体结构和第二半导体结构。第一半导体结构包括:电容器,其包括板电极;沟道结构,其设置在电容器上;位线,其设置在沟道结构上;第一上布线层,其设置在位线上;第一布线层,其位于第一上布线层与板电极所在的层之间;以及下接触件,其连接板电极和第一布线层。
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