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半导体器件

发明专利未知
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28权利要求 · 3 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

张宪龙

申请日

Feb 10, 2026

公开日

Oct 20, 2026

IPC 分类

H10B 12/00 (2023.01)

一种半导体器件,包括通过键合层相互键合的第一半导体结构和第二半导体结构。第一半导体结构包括:电容器,其包括板电极;沟道结构,其设置在电容器上;位线,其设置在沟道结构上;第一上布线层,其设置在位线上;第一布线层,其位于第一上布线层与板电极所在的层之间;以及下接触件,其连接板电极和第一布线层。

§ Ⅵ

专利附图

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