三维存储器结构及其形成方法

本发明提供了一种三维存储器结构及其形成方法。所述三维存储器结构包括衬底、叠层、多个孔洞、多个存储器层、多个外延通道层、和多个介电柱。叠层设置在衬底上。叠层包括多个栅极层和多个介电层彼此交替设置。孔洞贯穿叠层。存储器层分别设置在孔洞的侧壁上。外延通道层分别设置在存储器层上，并落在衬底上。介电柱分别设置在外延通道层所定义的空间中。