一种用于内容可寻址存储器的铁电场效应晶体管

本申请实施例提供一种用于内容可寻址存储器的铁电场效应晶体管，所述铁电场效应晶体管包括Si铁电场效应子晶体管和IGZO铁电场效应子晶体管，所述IGZO铁电场效应子晶体管垂直堆叠于所述Si铁电场效应子晶体管上方，所述Si铁电场效应子晶体管与所述IGZO铁电场效应子晶体管均为纳米片全环绕栅极结构，所述Si铁电场效应子晶体管与所述IGZO铁电场效应子晶体管的栅极通过层间介质层隔离，所述IGZO铁电场效应子晶体管的沟道层与铁电层之间具有P型氧化物半导体插层。本申请实施例提供的用于内容可寻址存储器的铁电场效应晶体管，通过将Si铁电场效应子晶体管与IGZO铁电场效应子晶体管在垂直方向上进行多层纳米片堆叠，实现CAM单元集成密度的提升，从而满足先进工艺节点下高密度存储的应用需求。