一种三维侧壁空腔铁电存储器的制备方法及其结构

本发明公开一种三维侧壁空腔铁电存储器的制备方法及其结构，基于标准CMOS后端工艺实现铁电电容器件垂直堆叠与金属线路间的电器隔离，通过二氧化硅为层间介质、金属为互联层、碳化硅为选择牺牲层，制备交替堆叠结构；通过在每层氮化钛导电极板复合氮化硅牺牲层，低多层复合结构的深沟槽的刻蚀难度，实现多层堆叠一次性贯通的深槽刻蚀。本发明进一步通过选择性侧蚀去除氮化硅牺牲层，在每一层氮化钛极板侧壁形成独立侧向空腔；通过原子沉积铁电介质与电极薄膜，在各层侧壁空腔形成堆叠式铁电电容单元；通过反刻打通沟道底部并填充钨塞作为各层电容的一端电极公共引出，以及通过对各层氮化钛极板台阶式打孔，实现逐层电容的另一端电极独立引出。