一种具备复合钝化层与p-NiO嵌岛的AlGaN/GaN肖特基二极管及其制备方法

本发明公开了一种具备复合钝化层与p‑NiO嵌岛的AlGaN/GaN肖特基二极管及其制备方法，涉及半导体功率器件，包括衬底层、外延层、阴极和阳极区结构，所述衬底层、外延层、阴极和阳极区结构，自下而上排布；外延层包括位于衬底层上方的GaN缓冲层、GaN沟道层以及GaN沟道层上方的AlGaN势垒层，GaN沟道层与AlGaN势垒层界面处形成二维电子气。本发明致力于解决现有GaN基SBD反向漏电大、击穿电压低的问题，其GaN基异质结功率二极管结构新颖、易于加工、具备高阻断电压和极低漏电流。