选择性外延生长预处理方法以及硅锗层形成方法

本发明提供了一种选择性外延生长预处理方法以及硅锗层形成方法，所述选择性外延生长预处理方法包括：提供一半导体衬底，且半导体衬底中形成有凹槽；在凹槽的内侧表面形成多晶硅牺牲层，多晶硅牺牲层用于吸附半导体衬底中的杂质；利用刻蚀工艺去除多晶硅牺牲层以露出凹槽表面，且露出的凹槽用于选择性外延生长硅锗层。本发明通过选择性外延生长预处理方法可以去除半导体衬底中的杂质，提升后续选择性外延生长的硅锗层的质量。