一种多层外延的积累型平面SiC MOSFET改进结构及其制造方法

本发明公开一种多层外延的积累型平面SiC MOSFET改进结构及其制造方法，通过在常规积累型平面SiC MOSFET的基础上，采用分步生长外延层的形式来形成积累型沟道，避免了离子注入时带来的晶格损伤。同时通过在第二层外延中心进行P型离子的浅注入形成表面P型薄膜，使控制开关的栅极由常规的MOSFET开关，变成JFET开关，弥补了常规积累型MOSFET带来的低阈值电压的影响。