一种具有高阻帽层的增强型GaN HEMT器件及其制备方法

本发明公开了一种具有高阻帽层的增强型GaN HEMT器件及其制备方法，涉及微电子器件技术领域，包括衬底、依次设置在衬底上的GaN缓冲层、GaN沟道层和AlGaN势垒层，以及设置在AlGaN势垒层上的源极、漏极和位于源漏之间的p‑GaN层，所述p‑GaN层上方设置有高阻渐变碳掺杂GaN帽层，帽层上方设置有栅极，所述高阻渐变碳掺杂GaN帽层中，碳掺杂浓度沿厚度方向自底部向顶部逐渐增大。本发明通过在p‑GaN层与栅极之间引入碳掺杂浓度垂直渐变的高阻帽层，有效提升了栅极正向耐压能力，显著抑制了栅极泄漏电流，同时避免了高浓度碳掺杂对p‑GaN层的补偿失活，保持了良好的阈值电压和导通特性，且本发明的工艺兼容性强，易于量产。