沟槽型功率半导体结构、制备方法及功率芯片

本申请公开了一种沟槽型功率半导体结构、制备方法及功率芯片，属于功率半导体技术领域。沟槽型功率半导体结构包括：半导体本体，包括第一表面、第一区域和掩埋区，第一表面设有栅极沟槽，栅极沟槽从第一表面延伸至半导体本体中，掩埋区位于第一区域远离第一表面的一侧，且掩埋区与第一区域接触布置；栅极结构，位于栅极沟槽内；其中，掩埋区在第一表面上的第一正投影与第一区域在第一表面上的第二正投影至少部分重叠，且与栅极沟槽在第一表面上的第三正投影不完全重叠，掩埋区的导电类型与第一区域的导电类型相同。降低栅极沟槽底部的栅极结构所承受的电场强度，提高器件可靠性。