半导体结构及其制造方法

本揭露提供一种半导体结构。半导体结构包括基板、第一介电层、第二介电层、掺杂第二介电层和电容器。基板具有周边区域以及被周边区域包围的阵列区域。第一介电层位于基板上。第二介电层位于第一介电层上。掺杂第二介电层位于周边区域的第二介电层上，其中，掺杂第二介电层包含N型掺杂剂，并且第二介电层和掺杂第二介电层均包含氮。电容器位于阵列区域中，并且电容器穿过第二介电层和第一介电层。此外，通过本揭露提供的半导体结构的制造方法，能够减少硬遮罩的沉积厚度，以降低电容器的纵横比，进而降低蚀刻工艺的难度。