常开型晶体管及其制备方法

本申请实施例涉及一种常开型晶体管及其制备方法，其中，常开型晶体管包括：衬底，具有第一导电类型；位于衬底内的第一漂移区、源极区和漏极区，第一漂移区的位于源极区和漏极区之间的部分用于形成沟道，第一漂移区、源极区和漏极区均具有不同于第一导电类型的第二导电类型；栅极结构，位于源极区和漏极区之间，用于控制沟道的导通与关断；第二漂移区，位于第一漂移区内且与源极区的距离小于与漏极区的距离，第二漂移区具有第二导电类型，第二漂移区的离子掺杂浓度大于第一漂移区的离子掺杂浓度。如此，在维持较高的击穿电压的同时，保障在实际应用中，当漏极端电压升高时，源极端的电压变化较小，从而保障电路功能的正常实现。