晶圆扩Pt工艺方法

本发明公开了一种晶圆扩Pt工艺方法，包括：步骤一、提供晶圆，在晶圆的周边边缘处，半导体衬底表面裸露且具有倾斜形貌。步骤二、形成一保护层覆盖在晶圆周边裸露的半导体衬底的表面上，且保护层沿具有倾斜形貌的半导体衬底表面向下延伸的最低位置低于后续进行的扩Pt工艺的Pt扩散深度。步骤三、在晶圆的表面沉积一层Pt层，在晶圆的周边边缘处，保护层使Pt层和半导体衬底表面不相接触。步骤四、进行退火将Pt层中的Pt扩散进行半导体衬底中并形成Pt扩散区，在晶圆的周边边缘处，保护层阻止Pt扩散到半导体衬底中。步骤五、去除Pt层。本发明能防止在晶圆的周边边缘处的半导体衬底表面产生Pt残留，从而能防止Pt残留对后续工艺中的金属刻蚀工艺的不利影响。