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一种兼具低开启电压和耐大电流的氮化镓肖特基二极管

发明专利未知
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§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

代鲲鹏; 曹宸; 陆光泽; 张凯; 吴少兵; 章军云

申请日

Jun 18, 2026

公开日

Oct 20, 2026

IPC 分类

H10D 84/00 (2025.01)H10D 62/10 (2025.01)H10D 8/60 (2025.01)

本发明公开一种兼具低开启电压和耐大电流的氮化镓肖特基二极管,属于半导体器件技术领域。该氮化镓肖特基二极管包括:至少两个二极管串联组成的二极管串以及并联二极管,并联二极管的阳极与二极管串中第一个二极管的阳极连接,并联二极管的阴极与二极管串中最后一个二极管的阴极连接,二极管串中各二极管的导通沟道长度相等且不超过并联二极管的导通沟道长度的1/N。本发明解决小结电容需求下常规GaN横向二极管无法提供足够大的过电流能力的技术问题,同时规避采用多个耐大电流的大结电容二极管串联设计导致开启电压升高的问题,实现兼具低开启电压和耐大电流的目的。