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半导体器件结构及其形成方法
发明专利未知
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§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
周孟翰; 林建佑; 刘书豪; 严得瑞; 陈佳政
申请日
Jun 18, 2026
公开日
Oct 20, 2026
IPC 分类
H10D 84/01 (2026.01)H10D 84/83 (2025.01)
描述了半导体器件结构及其形成方法。该方法包括在第一区域中的衬底上方形成第一源极/漏极区域，在第二区域中的衬底上方形成第二源极/漏极区域，形成第一开口以暴露第一区域中的第一源极/漏极区域，形成第二开口以暴露第二区域中的第二源极/漏极区域，在第一区域中执行第一预非晶化注入（PAI）工艺，在第二区域中执行第二PAI工艺，并且第一PAI工艺和第二PAI工艺在不同时间执行。该方法还包括在第一开口中沉积第一导电部件，并且在第二开口中沉积第二导电部件。
§ Ⅵ
专利附图
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