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集成电路管芯及其形成方法
发明专利未知
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§ Ⅰ
卷宗概要
IPC 分类
H10D 84/85 (2025.01)H10D 84/01 (2026.01)
提供了集成电路管芯及其形成方法。集成电路管芯可以包括有源区域和密封环区域。有源区域可以包括有源电路。密封环区域可以包括第一外延结构、位于第一外延结构的第一侧上方的第一互连结构和位于第一外延结构的第二侧上的第二互连结构。第一互连结构可以包括延伸穿过第一互连结构的第一导电塔,并且第二互连结构可以包括延伸穿过第二互连结构的第二导电塔。集成电路管芯还可以包括将第一导电塔电连接至第一外延结构的第一侧的第一导电接触件和将第二导电塔电连接至第一外延结构的第二侧的第二导电接触件。
§ Ⅵ
专利附图
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