一种折叠沟道CMOS器件及其制造方法

本申请属于器件制造技术领域，公开了一种折叠沟道CMOS器件及其制造方法，包括：P型衬底；形成于P型衬底内的P型阱区和N型阱区；形成于P型衬底表面的浅槽；设置于浅槽下部的CMOS器件控制栅多晶；形成于P型阱区和N型阱区内的N‑掺杂区、P‑掺杂区、P+掺杂区和N+掺杂区；覆盖器件表面的表面钝化层；以及电气引出金属层。本申请能够使载流子源区至漏区的流通路径从平面横向直线转变为沿浅槽侧壁与底部的纵向U形折叠路径，有利于器件在微缩尺寸下保持优异的能力并控制制造成本。