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三端口双向SCR结构的ESD保护器件

发明专利未知
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12权利要求 · 1 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

范炜盛

申请日

Jun 24, 2026

公开日

Oct 20, 2026

IPC 分类

H10D 89/60 (2025.01)

本发明公开了一种三端口双向SCR结构的ESD保护器件,在衬底中的一整体隔离区中,包含从左至右的A、B、C三个相邻的子隔离区;所述的A隔离区中形成端口1,C隔离区中形成端口2,位于中间的B隔离区中形成端口3;所述的端口1至端口3,以及端口2至端口3,均构成双向SCR;端口3接地,作为端口1和2共享的泄放路径,形成两组双向SCR通路。本发明结构可以多路I/O共享一路泄放路径,且I/O路数越多结构集成效率越高,芯片面积节约越明显,适合高密度多I/O端口的芯片;具备双向防护能力,解决负压总线I/O对GND漏电问题,可灵活调节击穿电压,不同结构适配不同电压应用场景需求;ESD电流泄放能力强,钳位效果优异。