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一种背接触异质结太阳能电池及其制备方法
发明专利未知
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§ Ⅰ
卷宗概要
IPC 分类
H10F 10/166 (2025.01)H10F 77/20 (2025.01)H10F 77/14 (2025.01)H10F 71/10 (2025.01)H10F 71/00 (2025.01)
本发明公开一种背接触异质结太阳能电池及其制备方法。该背接触异质结太阳能电池可包括:晶硅基体,背面包括交替排列的第一导电区和第二导电区;设置于第一导电区的n型载流子收集层,n型载流子收集层包括电极接触区和非电极接触区;设置于第二导电区的p型载流子收集层;至少设置于n型载流子收集层的电极接触区的外侧的金属硅化物过渡层,且金属硅化物过渡层未设置于p型载流子收集层的外侧;设置于第一导电区的透明导电膜层,透明导电膜层位于金属硅化物过渡层的外侧,且与金属硅化物过渡层接触,能够有效地降低背接触异质结太阳能电池的接触电阻。
§ Ⅵ
专利附图
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