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光电二极管以及光学传感器

发明专利未知
20权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

马西莫·卡塔尔多·马齐洛

申请日

Feb 5, 2021

公开日

Oct 20, 2026

IPC 分类

H10F 30/225 (2025.01)H10F 77/14 (2025.01)H10D 62/10 (2025.01)H10F 39/10 (2025.01)G01J 1/44 (2006.01)

本申请公开了一种光电二极管以及光学传感器及光学探测器。该光电二极管包括:p‑n结、第一电触点、雪崩区以及介电隔离沟槽,延伸到第二井形半导体层中并围绕雪崩区的外周,以防止雪崩光电二极管中的过早边缘击穿,其中,隔离沟槽沿径向布置在第一电触点和第二电触点之间,其中,隔离沟槽包括由介电材料制成的封套和由介电封套包围的金属芯;以及隔离沟槽的厚度大于或等于第二井形半导体层的厚度的9/10,隔离沟槽因此在第二井形半导体层内形成深沟槽隔离。

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