CMOS图像传感器

本申请公开了一种CMOS图像传感器，包括：基底，所述基底具有相对的正面与背面；光电二极管，所述光电二极管自所述基底的背面延伸至所述基底内；浮动扩散区，所述浮动扩散区自所述基底的正面延伸至所述基底内；环形垂直转移栅，自所述基底的正面延伸至所述基底内，所述环形垂直转移栅在平行于所述基底正面的平面内呈闭合环状，且至少部分环绕连接所述光电二极管和所述浮动扩散区的电荷转移沟道；所述电荷转移沟道位于所述环形垂直转移栅所围成的内侧区域中，可以解决相关技术小像素CMOS图像传感器中垂直转移栅存在的高电荷转移效率、低图像拖尾和高满阱容量难以兼顾的问题。