一种TOPCon电池的制备工艺

本发明公开了一种TOPCon电池的制备工艺，包括如下步骤:步骤S1：硅片表面制绒；步骤S2：第一次硼扩散，步骤S3：图形化光刻；步骤S4：再次制绒；步骤S5：第二次硼扩散；步骤S6：链式去除绕镀硼硅玻璃并进行背面碱抛光；步骤S7：制备背面隧穿氧化层与掺磷多晶硅层；步骤S8：高温退火处理；步骤S9：链式去除磷硅玻璃结合标准清洗；步骤S10：依次进行原子层沉积氧化铝镀膜、PECVD沉积减反射膜、丝网印刷烧结制备金属电极，制得成品电池。本发明提供一种TOPCon电池的制备工艺，实现掺杂浓度分区。