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基于铜电镀工艺的异质结太阳能电池边缘钝化集成方法

发明专利未知
10权利要求 · 1 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

宿世超; 王伟; 付扬; 李世岚; 宗军

申请日

Aug 17, 2026

公开日

Oct 20, 2026

IPC 分类

H10F 71/00 (2025.01)H10P 70/00 (2026.01)H10P 54/20 (2026.01)H10P 50/60 (2026.01)

本发明属于光伏太阳能电池技术领域,具体涉及一种基于铜电镀工艺的异质结太阳能电池边缘钝化集成方法,包括:步骤S1提供已完成铜电镀但未去掩膜的电池基板;步骤S2在掩膜层保护下激光划片;步骤S3将切割后电池片置于碱性处理液中,同步完成掩膜去除和激光切割边缘损伤层的化学刻蚀,露出新鲜硅表面;步骤S4在湿法环境下施加钝化溶液,钝化剂活性分子选择性地与新鲜硅表面悬挂键键合形成钝化层;步骤S5清洗干燥;本发明将划片、去膜、边缘清洗和边缘钝化高度集成为低温湿法流程,避免高温对异质结电池的损伤,实现了自对准选择性钝化,有效抑制边缘复合,提升电池效率,且不显著增加设备投资和工艺成本。

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