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背接触电池的制备方法、背接触电池和光伏组件

发明专利未知
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13权利要求 · 3 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

孙玉峰; 端伟元; 杨洁

申请日

Aug 21, 2026

公开日

Oct 20, 2026

IPC 分类

H10F 71/00 (2025.01)H10F 77/20 (2025.01)H10F 10/14 (2025.01)H10K 71/00 (2023.01)H10K 30/82 (2023.01)H10K 30/50 (2023.01)H10K 30/40 (2023.01)

本申请涉及背接触电池的制备方法、背接触电池和光伏组件,属于光伏技术领域,一种背接触电池的制备方法包括:提供衬底,衬底包括第一面。在第一面形成第一导电区和第二导电区。第一次遮盖至少第一导电区。在第一面第一次沉积透明导电层。取消第一次遮盖。第二次遮盖至少第二导电区。在第一面第二次沉积透明导电层。第一次遮盖步骤和第二次遮盖步骤中的至少一步中,遮盖第一导电区和第二导电区的交界处,以使被遮盖的部分区域形成隔离槽。通过两次遮盖后分别依次沉积透明导电层,从而在至少部分交界处自然形成未沉积有透明导电层的隔离槽,防止对第一导电区和第二导电区产生激光损伤或刻蚀损伤和刻蚀残留,进而提高背接触电池的光电转换效率。

§ Ⅵ

专利附图

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