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一种太阳能电池及其制备方法

发明专利未知
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10权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

张俊兵; 陈斌; 蒋秀林

申请日

Aug 28, 2026

公开日

Oct 20, 2026

IPC 分类

H10F 77/30 (2025.01)H10F 77/14 (2025.01)H10F 71/00 (2025.01)H10F 10/166 (2025.01)

本发明公开一种太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池可包括:晶硅基体,晶硅基体包括相对的第一主表面和第二主表面,晶硅基体的第一主表面包括第一中间区域和围绕第一中间区域设置的第一边缘区域;设置于第一边缘区域的第一钝化层;设置于第一钝化层上的第一掺杂多晶硅层;靠近晶硅基体的第一中间区域的一侧的第一掺杂多晶硅层的厚度小于远离晶硅基体的第一中间区域的一侧的第一掺杂多晶硅层的厚度。在第一掺杂多晶硅层覆盖面积相同的情况下,由于靠近第一中间区域一侧的厚度较小,因此使得第一主表面上的第一掺杂多晶硅层整体对光线的寄生吸收降低。

§ Ⅵ

专利附图

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