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一种外延片加工方法、MicroLED器件

发明专利未知
10权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

请求不公布姓名; 环宇翔; 牛玉康

申请日

Jul 21, 2026

公开日

Oct 20, 2026

IPC 分类

H10H 29/01 (2025.01)H10H 20/01 (2025.01)H10H 29/30 (2025.01)

本发明公开了一种外延片的加工方法、MicroLED器件,通过选取两种出光颜色不同的外延片分别完成临时键合、衬底剥离与图形化,得到阵列式两类发光单元,两类发光单元的外延发光层基本齐平,形成了近似共面的出光结构,避免因不同外延发光层之间的高度差异所导致的离焦问题,从工艺根源上提升了器件发光均匀性与显示一致性。以及两类发光单元的对位键合界面形成有缓冲间隙,键合压力仅作用于其中一类发光的单元,而另一类发光单元表面不受压力载荷,可降低键合所需压力,消除厚度不均造成的键合不充分问题,提升产品良率,并且通过降低键合压力,还可以缩短工艺耗时、提升生产效率。

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