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一种零外磁场的宽频反铁磁型纳米自旋振荡器及自旋二极管器件

发明专利未知
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9权利要求 · 1 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

刘荣华; 朱泽镱; 谷红娜; 陈丽娜

申请日

Jul 21, 2026

公开日

Oct 20, 2026

IPC 分类

H10N 50/10 (2023.01)H10N 50/20 (2023.01)H10N 50/80 (2023.01)B82Y 15/00 (2011.01)

本申请涉及一种零外磁场的宽频反铁磁型纳米自旋电子器件,属于自旋电子学与微波/亚太赫兹器件技术领域,所述器件基本单元自下而上依次包括:自旋流产生层、反铁磁功能层、非磁势垒层或金属间隔层、垂直磁化参考层及上电极层;反铁磁功能层为A型层状反铁磁体或具垂直磁各向异性的人工反铁磁体系,自旋流产生层由强自旋轨道耦合材料构成,通入直流电流后向反铁磁功能层施加自旋轨道力矩,驱动其奈尔矢量绕有效场轴稳定自激振荡。自激模式下多单元阵列相干叠加以压制相位噪声;共振探测模式下多单元输出求和以提升灵敏度。该器件可用作片上兼容的微波‑太赫兹信号源、探测器及非线性振荡网络构建单元,适用于6G通信、频谱感知及非冯·诺依曼架构信息处理。

§ Ⅵ

专利附图

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