返回搜索
档案
一种晶圆处理方法和晶圆处理系统
发明专利未知
12权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
IPC 分类
H10P 54/30 (2026.01)H10P 58/00 (2026.01)
本公开实施例提供了一种晶圆处理方法和晶圆处理系统,该晶圆处理方法包括:提供被处理晶圆;确定对被处理晶圆进行隐形切割时所需的目标光能量;其中,目标光能量是基于被处理晶圆的目标面的反射率对基准光能量进行补偿得到的;目标面形成有氧化膜,基准光能量为在去除氧化膜的情况下,对被处理晶圆进行隐形切割时所需的光能量;基于目标光能量,对晶圆进行隐形切割。这样,通过利用晶圆的目标面的反射率对基准光能量进行补偿得到目标光能量,使得在无需进行预研磨的情况下,目标光能量足够实现对晶圆的隐形切割,从而能够跳过预研磨工序,节约机台投入。
登录后阅读全文
已显示权利要求 1。免费注册即可阅读全部 12 项权利要求、说明书全文、全部附图、翻译和法律状态。
- 全部权利要求
- 技术领域
- 背景技术
- 发明内容
- 附图说明
- 具体实施方式