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一种降低晶圆刻蚀后颗粒缺陷的处理方法

发明专利未知
10权利要求 · 1 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

张小春

申请日

Jul 23, 2026

公开日

Oct 20, 2026

IPC 分类

H10P 70/00 (2026.01)H10P 95/70 (2026.01)H10P 95/00 (2026.01)C11D 1/66 (2006.01)C11D 3/37 (2006.01)C11D 7/32 (2006.01)C11D 7/26 (2006.01)

本申请提供了一种降低晶圆刻蚀后颗粒缺陷的处理方法,包括:将刻蚀后晶圆依次使用第一处理液、第二处理液和第三处理液处理,再经水漂洗和干燥;其中,第一处理液包括羟基羧酸络合剂、氨基酸型缓蚀剂和水,第二处理液包括聚羧酸聚合物、表面活性剂和水,第三处理液包括低于第二处理液浓度的聚羧酸聚合物和水。本申请通过依次削弱颗粒桥连吸附、形成颗粒水化分散状态并进行低浓度聚羧酸过渡处理,能够降低刻蚀后晶圆表面的颗粒残留和再沉积,从而降低晶圆刻蚀后的颗粒缺陷。

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