改善八英寸硅片体铜的清洗方法

本发明涉及一种改善八英寸硅片体铜的清洗方法，所属半导体晶圆制造技术领域，解决现有清洗方法无法有效去除硅片体铜导致少子寿命降低的问题，依次包括四个步骤：预氧化扩孔，采用臭氧和TMAH水溶液形成多孔氧化层以打开扩散通道；络合增强提取，采用含HF、HO、EDTA和甘氨酸的双络合剂混合液在超声下提取体内铜离子；深层钝化置换，采用PdCl和HF溶液置换深层残余铜原子并通过微蚀刻剥离；兆声辅助终洗，用超纯水兆声冲洗去除残留并形成钝化层。对硅片体铜实现4个数量级以上的去除率，使体铜浓度低于1×10atoms/cm³，显著提升少子寿命，有效避免Pd二次污染并保持表面完整性，适用于功率器件及先进逻辑芯片的衬底最终清洗。