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一种提高刻蚀产能的方法及刻蚀系统
发明专利未知
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10权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
夏慧; 邵寿潜; 龚文志; 黄承语; 李永杰; 张亮
申请日
Apr 9, 2025
公开日
Oct 20, 2026
IPC 分类
H10P 72/00 (2026.01)
本发明提供了一种提高刻蚀产能的方法及刻蚀系统,属于半导体生产技术领域,提高刻蚀产能的方法包括:根据基板的总刻蚀时长T,设定所述基板的刻蚀次数k和所述基板的单次刻蚀时长,其中,T=;先将多个所述基板送入一冷却腔室,再择一送入刻蚀腔室进行刻蚀,在刻蚀时长达到所述单次刻蚀时长后,将所述基板送回所述冷却腔室,并将另一所述基板送入所述刻蚀腔室进行刻蚀,同时对所述冷却腔室进行冷却,依此步骤直至全部的所述基板均达到所述总刻蚀时长T。本申请既避免了在刻蚀腔室内增设冷却装置导致的成本增加,又能够很好地控制基板的温度,可以提高基板的生产效率。