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用于半导体结构处理的加热功率控制

发明专利未知
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20权利要求 · 3 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

B·T·P·马罗扎斯

申请日

Apr 8, 2026

公开日

Oct 20, 2026

IPC 分类

H10P 72/00 (2026.01)

公开了用于在半导体结构处理期间控制由各种加热源使用的功率量的方法、装置和系统。所公开的方法/装置/系统执行例如使用第一加热源加热设置在外延反应器系统的反应器室内的基座上的半导体结构,使用第二加热源加热基座,以及基于存储的数据控制第一加热源的第一功率或第二加热源的第二功率中的至少一个。

§ Ⅵ

专利附图

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