超结功率器件晶圆边缘处理方法及晶圆结构

本发明公开了一种超结功率器件晶圆边缘处理方法，应用于超结功率器件扩铂，包括：执行接触孔光刻工序，对晶圆边缘执行不洗边处理，保留晶圆边缘氧化层；通过所述边缘氧化层隔离铂元素与裸露硅基底；依次进行铂沉积、铂退火、铂去除、ILD层沉积、金属沉积及金属刻蚀。本发明能解决现有超级结器件扩铂工艺中，晶圆边缘接触孔光刻洗边导致边缘氧化层缺失，铂元素在裸露硅浅表层富集，引发后续金属刻蚀腔体污染、刻蚀速率下降、终点时间漂移、工艺超差及设备停机的技术问题。本发明能保障刻蚀速率稳定、终点时间平稳、工艺参数不超差及设备连续作业。