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包括间隔物结构的半导体元件

发明专利未知
13权利要求 · 1 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

方伟权

申请日

Sep 10, 2025

公开日

Oct 20, 2026

IPC 分类

H10W 20/43 (2026.01)H10W 20/48 (2026.01)

本申请公开一种间隔物结构、具有该间隔物的半导体元件及具有该间隔物的半导体元件的制造方法。该间隔物结构包括:一内部间隔物,位于该位元线结构的一侧上,其中该内部间隔物的材料包括碳氧化硅;一中间间隔物,位于该内部间隔物上;以及一外部间隔物,位于该中间间隔物上。

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