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具有扇出上扇入的晶片级封装和堆叠的半导体器件及其制造方法
发明专利未知
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§ Ⅰ
卷宗概要
IPC 分类
H10W 70/09 (2026.01)H10W 70/60 (2026.01)H10W 70/63 (2026.01)H10W 70/655 (2026.01)H10W 70/652 (2026.01)H10W 90/22 (2026.01)
具有扇出上扇入的晶片级封装和堆叠的半导体器件及其制造方法。半导体封装层具有第一半导体管芯。密封剂被沉积在第一半导体管芯上方。扇出互连结构被形成在第一半导体管芯和密封剂上方。第二半导体管芯被设置在扇出互连结构上方,并且与第一半导体管芯对准。第二垂直互连结构被设置在第二半导体管芯周围的扇出互连结构上方。多个半导体封装层被堆叠以形成堆叠封装。